与在平面基板上生长氮化镓基Micro LED相比，在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6％，并将内量子效率（IQE）提高了44％。此外，该方法生长的Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍。

同时，蓝宝石纳米膜也可以通过机械力被破坏。因此，Micro LED可以很容易地从基板上分离并转移到显示驱动器背板上，从而简化了制造工艺并降低

研究团队认为，这一技术突破克服了当前Micro LED制造工艺的限制，将加速Micro LED显示技术的商业化进程。

据悉，该研究成果已发表在《科学报告》杂志上。除首尔国立大学研究人员外，三星综合理工学院、韩国科学技术院（KAIST）和韩国光子技术研究所（韩国）也参与了这项技术研究，并获得了三星未来技术促进中心的奖励( )，韩国 由教育部 BK21 Plus 项目和韩国研究基金会（韩国）支持。

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